蚀刻液中阴离子的测定
在集成电路制造过程中，常需要在晶圆上定义出极细微尺寸的图案，这些图案主要的形成方式是藉由蚀刻技术，将微影后产生的光阻图案忠实的转印至光阻下的材质上，以形成集成电路的复杂架构。因此蚀刻技术在半导体制造过程中占有极重要的地位。蚀刻技术大略可分为湿式蚀刻和干式蚀刻两种技术。湿式蚀刻是利用特定的化学溶液将待蚀刻薄膜未被光阻覆盖的部分分解，并转成可溶于此溶液的化合物后加以排除，从而达到蚀刻的目的。大部分的蚀刻过程包含一个或多个化学反应，常见的是先将待蚀刻层表面予以氧化，再将此氧化层溶解，如此反复达到蚀刻的效果，因此蚀刻液大多由一种或多种酸溶液混合而成。离子色谱可检测蚀刻液中的酸根离子，亦可检测经蚀刻后的电路板上酸根的残留量。
色谱条件
分析柱：SH-AG-1+SH-AC-11
流动相：13 mM KOH（EG）
流速：1.0 mL/min
柱温：35℃
抑制器：SHY-A-6
进样体积：25 μL
前处理：样品稀释适当倍数过 Na 柱和 0.22 μm 滤膜，进样分析。
蚀刻液中阴离子谱图
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